天成半导体“兼容型碳化硅长晶装备”全国获奖

8月4日，从山西天成半导体材料有限公司传来好消息，在7月31日合肥落幕的“创赢未来”2026创业大赛全国总决赛上，山西省参赛项目取得历史性突破。其中，山西天成半导体材料有限公司自主研发的“面向AR应用的8-12英寸兼容型碳化硅单晶晶体生长装备”项目，在科技成果转化赛道中脱颖而出，荣获全国三等奖，成为本次大赛太原市唯一获奖项目。

本次大赛汇聚了全国31个省(区、市)及新疆生产建设兵团的593个优质项目同台竞技，经多轮严格评审，最终250个项目晋级全国决赛，竞争异常激烈。山西天成半导体从全省20个出征国赛的项目中脱颖而出，成功晋级决赛。此前，该项目已于7月13日举行的山西省选拔赛暨山西省第十二届星火项目创业大赛决赛中荣获省级一等奖。此次代表山西出征国赛，在科技成果转化赛道中荣获全国三等奖，实现了从省内领跑到全国获奖的新跨越。截至目前，该企业已拥有30余项国内外专利、13项软件著作权，参与制定团体标准2项，出版专著1部，主持省部级项目2项，发表高水平论文10余篇，构建起坚实的技术护城河，引领新质生产力发展。

碳化硅单晶生长装备被誉为第三代半导体产业的“芯片摇篮”，其技术门槛极高，尤其是大尺寸、低缺陷晶体的制备长期被国外垄断。此次获奖的“8-12英寸兼容型碳化硅单晶晶体生长装备”，正是山西天成半导体在该领域实现关键技术跨越的核心成果。该装备采用的电阻加热式物理气相传输(PVT)法，相较于传统感应加热技术，在超大尺寸温场均匀性控制方面具有显著优势。然而，电阻炉的设计难度极大，犹如在2000多摄氏度的高温密闭腔体内“蒙眼绣花”，需对轴向与径向温度梯度进行极致精准的协同控制，稍有偏差便会导致晶体长歪或长裂。山西天成半导体成功将温度控制精度提升至±1℃，达到国际领先水平。

山西天成半导体依托自主搭建的研发体系，通过优化热场设计、攻克扩径工艺及低缺陷单晶生长难题，成功实现了装备与工艺的深度自研。该设备不仅实现了8英寸与12英寸产品的便捷切换，设备换产时间缩短70%，具备柔性生产能力，同时将晶体生长速率提升至200um/h，晶体有效厚度突破35mm，良率达85%以上，为大尺寸碳化硅衬底的产业化降本增效提供了关键支撑。

据介绍，山西天成半导体自2021年成立以来，紧密围绕碳化硅产业链核心痛点攻关。从2022年完成6英寸技术验证起步，到2024年实现8英寸装备规模化量产，再到2025年攻克12英寸导电型与高纯半绝缘型“双路线”核心技术，直至2026年率先发布14英寸碳化硅单晶产品，企业完成了从跟随研发到大尺寸技术领跑的关键转变，迈入国内前沿。

目前，企业已构建起从长晶设备制造、粉料制备，热场耗材到晶体加工的全流程自主可控产业链，设备获得欧盟CE认证，2025年其12英寸电阻炉产品出货量居行业领先，并已通过IATF16949车规质量管理体系认证。此次获奖是对其装备自研能力及科技成果产业化成效的权威印证，同时也标志着山西在半导体核心装备领域的创新实力已步入全国前列。