三星低电压内存简评

文章来源:互联网 编辑:商城众网 发表时间:2015年04月29日 0

 为了提高笔记本电池继航力,厂商尽可能采用节能硬件,唯独内存由于制造工艺的原因(此前为40nm-60nm),一直徘徊在1.5V的标准电压,功耗难以下降。如今三星30nm技术的2GB DDR3 1600笔记本内存问世,对消费者来说绝对是个好消息。接下来让我们一起来看看此款产品的外观包装和规格数据。

低电压高续航 三星2G笔记本内存解析
三星2GB DDR3 1600笔记本内存

    广大网友对DDR3-1600MHz台式机内存并不陌生,在超频内存我们就能看到其身影。40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存,无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率,因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.65伏。而30nm DDR3内存无需提高电压即可完美支持1600MHz频率,甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。

低电压高续航 三星2G笔记本内存解析
三星2GB DDR3 1600笔记本内存

    30nm的内存颗粒芯片较之40nm体积更小,导致三星内存的标签完全将其遮盖,已看不到内存颗粒的外观。先进的内存工艺不仅仅缩小了颗粒芯片的体积,还增加了内存的频率,增强内存的稳定性,降低电压达到节能目的。

低电压高续航 三星2G笔记本内存解析
三星2GB DDR3 1600笔记本内存规格

 

三星2GB DDR3 1600笔记本内存细节

    编辑总结:三星存储自进入中国市场以来,一直有着优异的表现。尤其是在内存疯狂降价浪潮中表现突出。而三星的30nm制造工艺经过1年时间的生产技术积累,正式推向市场,必将引起笔记本内存史上又一次革命。


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